特許
J-GLOBAL ID：200903031833887473
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036790
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232452
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 それぞれがフラッシュメモリを有する、記憶保持特性の良好な切り替え素子と、書き換え特性の良好な記憶素子とを備えた半導体記憶装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 トンネル酸化膜2aの膜厚が厚いフラッシュメモリ9を有し、欠陥ビットのアドレス選択時に欠陥ビットへの電気的な接続状態を解除し冗長ビットに接続する切り替え素子と、トンネル酸化膜2bの膜厚が薄いフラッシュメモリ10を有し、情報を記憶する記憶素子とを設けるとともに、上記フラッシュメモリ9、10にはそれぞれ、半導体基板1上にトンネル酸化膜2a、2bを介して形成される浮遊ゲート電極3a、3bと、この浮遊ゲート電極3a、3b上に層間絶縁膜4a、4bを介して形成される制御ゲート電極5a、5bとを設ける。
請求項（抜粋）：
トンネル酸化膜の膜厚が厚いフラッシュメモリを有し、欠陥ビットのアドレス選択時に欠陥ビットへの電気的な接続状態を解除し冗長ビットに接続する切り替え素子と、トンネル酸化膜の膜厚が薄いフラッシュメモリを有し、情報を記憶する記憶素子とを備え、上記フラッシュメモリは半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成される浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して形成される制御ゲート電極とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
