ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025928
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202690
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】特にウエーハ周辺部で酸化膜耐圧を改善したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を、簡単にかつ生産性を極端に低下させることなく提供し、1枚のシリコンウエーハから作製されるデバイスチップの歩留を向上させる。【解決手段】 6インチ以上の大口径シリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ外周から面積比50%までの領域、特には外周から30mmまでが酸化膜耐圧不良のない無欠陥領域であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。および、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、引上装置固有の限界引上速度に対し、80〜60%の引上速度で単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

6インチ以上の大口径シリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ外周から面積比50%までの領域が酸化膜耐圧不良のない無欠陥領域であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208 , H01L 21/02

FI (4件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 J , H01L 21/208 P , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体単結晶棒の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-061924 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-172237 出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185174 出願人：信越半導体株式会社

全件表示

前のページに戻る