特許
J-GLOBAL ID：200903031851724620

スピン注入型磁化反転素子

発明者：
久保木 孔之

久保木 孔之 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-129515
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305629
出願日： 2006年05月08日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】本発明は、配線数および消費電力の増大を防ぎ、高い出力が得られる多値記憶磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、少なくとも下部電極、反強磁性層、強磁性ピン層、第一中間層、第一強磁性フリー層、第二中間層、第二強磁性フリー層および上部電極をこの順で下部電極上に設けたスピン注入型磁化反転素子であって、前記第一および第二強磁性フリー層がbcc構造を有し、且つ、第一強磁性フリー層と第二強磁性フリー層の磁化反転臨界電流密度が異なることを特徴とするスピン注入型磁化反転素子に関する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
少なくとも下部電極、反強磁性層、強磁性ピン層、第一中間層、第一強磁性フリー層、第二中間層、第二強磁性フリー層および上部電極をこの順で下部電極上に設けたスピン注入型磁化反転素子であって、前記第一および第二強磁性フリー層がbcc構造を有し、且つ、第一強磁性フリー層と第二強磁性フリー層の磁化反転臨界電流密度が異なることを特徴とするスピン注入型磁化反転素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z
Fターム (27件)：
4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119KK15 ,  5F092AA02 ,  5F092AB07 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC13 ,  5F092BE13 ,  5F092BE23
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 磁性メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-221409   出願人：日本ビクター株式会社
  • 磁気セル及び磁気メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-396201   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)

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