特許
J-GLOBAL ID：200903031878042822
化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小谷 悦司
, 伊藤 孝夫
, 樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-203834
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034482
出願日： 2006年07月26日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、光取出し効率および光学特性を改善する。【解決手段】シリコン基板1上にカタリスト材料層となるNi薄膜3を5nm蒸着する(図1(a))。続いて、通常のリソグラフィ技術にArイオンエッチング技術を用いて、Ni薄膜3を、直径100nmの柱径で、一片が230nmの三角形を基本単位とする2次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のNi薄膜パターン4に形成する(図1(b))。その後、再びMOCVD装置で成長させると、Ni薄膜パターン4の表面にGaとNとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板1との界面に達し、ここで互いに結合してGaN単結晶5を形成する(図1(c))。この状態を維持することで、GaNナノコラム6を形成する(図1(d))。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にナノスケールの柱状結晶構造体を有する化合物半導体発光素子において、
前記柱状結晶構造体は、カタリスト材料層と、該カタリスト材料層に取込まれて成長することによって該カタリスト材料層下に形成された半導体材料層とを備えて構成され、その配置および柱径が2次元フォトニック結晶構造に制御されていることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB36
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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