特許
J-GLOBAL ID：200903031891005626

荷電ビーム一括露光用透過マスクおよびその製造方法

発明者：
濱嶋 智宏

濱嶋 智宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021729
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 第2透過マスクに照射される電子が第2透過マスクの表面に衝突して発生する熱により、貼り合わせSOI構造をもつ荷電ビーム透過マスクは、熱膨張率の差による反りが生じ、これにより描画像に歪みを生じる。【解決手段】 半導体薄膜と、該半導体薄膜を保持する半導体基板とが、第1の絶縁膜を挟んで接合されている荷電ビーム一括露光用透過マスクにおいて、半導体薄膜の表面に、第1の絶縁膜と同じ厚さで第2の絶縁膜を形成することにより、熱膨張による反りを抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜と、該半導体薄膜を保持する半導体基板とが、第1の絶縁膜を挟んで接合されている荷電ビーム一括露光用透過マスクにおいて、前記半導体薄膜の表面に、前記第1の絶縁膜と同じ厚さで第2の絶縁膜が形成されていることを特徴とする荷電ビーム一括露光用透過マスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  H01J 37/305
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S ,  H01J 37/305 B
Fターム (7件)：
5C034BB04 ,  5C034BB05 ,  5C034BB10 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056AA30 ,  5F056FA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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