絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156059
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】熱酸化法に代わる低温酸化による絶縁膜の形成方法とこれを利用した半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】処理室であるチャンバー1内を酸素を含む雰囲気にして、ウエハー4を室温,180°C程度の低温に保持して、チャンバー1内にプラズマを発生し、バイアス電極3によってこのプラズマにウエハー4側へのバイアスを付加し、プラズマをウエハー4に照射する。ウエハー4上の露出している半導体層が酸化されて、酸化膜が形成される。熱酸化法とは異なり、室温でも酸化膜が形成できる。フォトレジスト膜の洗浄によってエッチングされた注入保護絶縁膜の修復、ポリシリコン膜の段差の緩和,トレンチ内の段差の緩和などに利用できる。また、金属を含むゲート電極形成後のフォトレジスト膜の除去前に、フォトレジスト膜を付けたままで酸化による汚染保護膜を形成することもできる。

請求項（抜粋）：

半導体層を有する基板を処理室内に設置するステップ(a)と、上記処理室を酸素を含む雰囲気に維持した状態で、処理室内に上記基板方向へのバイアスが付加されたプラズマを発生させて、上記半導体層にバイアスが付加されたプラズマを照射するステップ(b)とを含み、上記基板の露出している半導体層の上に、少なくとも酸素と半導体との反応による絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 A , H01L 21/76 L , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-282413 出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275301 出願人：松下電器産業株式会社
多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-264160 出願人：株式会社金星社, 韓国科学技術院

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