特許
J-GLOBAL ID：200903031928741239
CN薄膜の形成方法及びCN薄膜形成装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
石島 茂男 (外1名)
, 石島 茂男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074928
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256334
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】CN薄膜を収率良く形成可能なCN薄膜形成方法及びCN薄膜形成装置を提供する。【解決手段】イオン源室2内に原料ガスを導入してイオン化し、イオン源室2からイオンビーム7として引き出す。このイオンビーム7に対し、イオン分離室30Aによって質量分析を行い、所定のイオン種だけを偏向室30Bに向けて射出させる。偏向室30Bにおいてイオンビーム7を偏向し、減速室5において減速した後に基板62に照射する。原料ガスとしては、イオン化した際の双極子モーメントが0.1debye以上となるものが好ましく、例えばメチルアミンを用いる。また、10eV〜10keVのエネルギーで当該原料ガスのイオンを照射することが好ましい。
請求項（抜粋）：
真空中で所定の原料ガスをイオン化し、当該原料ガスのイオンを低エネルギーで照射することにより成膜対象物上にCN薄膜を形成することを特徴とするCN薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/34
, C23C 14/06 H
