特許
J-GLOBAL ID：200903031951206553
窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康弘
, 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142948
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327821
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】 歪みが少なく、かつ、ウエハ全面に渡って低転位密度である窒化物半導体の成長方法を提供すること【解決手段】異種基板10表面の周期配列された複数の特定領域Bから選択的に、発生した転位の略半数以上が特定領域B内で異種基板10表面に平行な横方向に進行するように、第1窒化物半導体14を成長させ、第1窒化物半導体14から、第1窒化物半導体と同一又は異なる組成の第2窒化物半導体16を成長させて異種基板10の略全面を覆い、表面における転位密度が略全面に渡って107cm-2以下である窒化物半導体を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と組成が異なる異種基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、
前記異種基板表面の周期配列された複数の特定領域から選択的に、発生した転位の略半数以上が前記特定領域内で前記異種基板表面に平行な横方向に進行するように、第1窒化物半導体を成長させ、
前記第1窒化物半導体から、前記第1窒化物半導体と同一又は異なる組成の第2窒化物半導体を成長させて前記異種基板の略全面を覆い、
表面における転位密度が略全面に渡って107cm-2以下である窒化物半導体を得ることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L21/205
, H01L33/00
, H01S5/343
H01L21/205
, H01L33/00 C
, H01S5/343 610
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F045AA04
, 5F045AA08
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD07
, 5F045AD09
, 5F045AD15
, 5F045AE19
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045AF14
, 5F045AF20
, 5F045DA53
, 5F045DA67
, 5F045HA03
, 5F173AA05
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP20
