特許
J-GLOBAL ID：200903032005280588
ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-077106
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311617
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体、及び高アスペクトでナノオーダーのパターンを有するナノ構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にGa又はInを含み、該Ga又はInの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より50nm以内に位置しているナノ構造体を構成する。また、その製造方法として、前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射して、該基板の表面を削りながらGaイオン又はInイオンを注入し、該基板の表面にGa又はInを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体であって、
前記パターンの表面にGa又はInを含み、該Ga又はInは前記基板の深さ方向に所定の濃度分布を有し、該濃度の最大値が前記パターンの最表層に位置していることを特徴とするナノ構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, B82B 1/00
, B82B 3/00
H01L21/302 105A
, B82B1/00
, B82B3/00
5F004BD01
, 5F004CB02
, 5F004CB04
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA18
, 5F004DA19
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB09
, 5F004DB26
, 5F004EA03
, 5F004EA10
, 5F004EA39
, 5F004FA02
出願人引用 (16件)
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特許第3240159号
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イオンビーム微細加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-238972
出願人：財団法人新産業創造研究機構
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特開平4-190984号公報
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審査官引用 (12件)
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特開平4-133325
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特開昭61-256632
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特開昭61-161717
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