エッチングマスクの形成方法、3次元構造体の製造方法及び3次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-099991
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311620
出願日： 2008年04月08日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、3次元構造体の製造方法及び3次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】エッチングマスクの形成方法において、基板200表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク204を形成する構成とする。また、3次元構造体を製造するに際して、基板200を準備する工程と、前記基板200表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク204を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク204を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エッチングマスクの形成方法であって、基板表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスクを形成することを特徴とするエッチングマスクの形成方法。

IPC (3件)：

H01S 5/00 , H01L 21/306 , G02B 6/12

FI (3件)：

H01S5/00 , H01L21/302 105A , G02B6/12 Z

Fターム (35件)：

2H147AB04 , 2H147AC02 , 2H147BF04 , 2H147EA02A , 2H147EA13C , 2H147EA14A , 2H147EA14B , 2H147FC02 , 2H147FC05 , 2H147FC08 , 2H147GA10 , 2H147GA17 , 5F004AA04 , 5F004BA17 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EA19 , 5F004EA39 , 5F004EB01 , 5F004EB04 , 5F004FA02 , 5F004FA03 , 5F004FA08 , 5F173AB90 , 5F173AC70 , 5F173AH22 , 5F173AP04 , 5F173AP20 , 5F173AP33 , 5F173AP35 , 5F173AP42 , 5F173AP47

引用特許：

出願人引用 (5件)

高圧タンク搭載車両とタンクアッセンブリ
公報種別：特許公報出願番号：特願2007-275608 出願人：トヨタ自動車株式会社
米国特許第5236547号明細書
米国特許第5335240号明細書

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審査官引用 (6件)

ウッドパイル型光デバイス用構造体の製造方法および構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-074814 出願人：株式会社日立製作所, 勝山俊夫, 荒川泰彦, 山田宏治
特開平4-355909
特開平4-133325

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