特許
J-GLOBAL ID：200903098721322888

磁気抵抗効果膜の製造方法

発明者：
高橋 茂樹

高橋 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175332
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368307
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 容易なプロセスかつ高い歩留まりでサブミクロンの微細構造を有するTMR膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】 トンネル磁気抵抗膜12の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム(FIB)描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。
請求項（抜粋）：
非磁性体層を介して積層された第1及び第2の金属強磁性体層を備える積層膜上に、電気的に中性化したイオンビームを照射することを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (8件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 21/30 551 ,  G01R 33/06 R
Fターム (20件)：
2G017AD54 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F056AA40 ,  5F056DA05 ,  5F056DA08 ,  5F056DA22 ,  5F056DA23 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR00 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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