低誘電率絶縁膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154429
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356508
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】既存の半導体製造プロセスに適合する強い膜強度を有し、かつより低い比誘電率を有する絶縁膜を形成することができる低誘電率絶縁膜の形成方法を提供するものである。【解決手段】(a)Si-O-Siの骨格構造にSi-CH3結合を含む絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)減圧雰囲気中で絶縁膜に紫外線を照射して、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離す工程と、(c)切り離されたCH3基を絶縁膜中から排出する工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)Si-O-Si或いはその他のシリカ骨格構造にSi-CHn(n=1、2、3)結合を含む絶縁膜を基板上に形成する工程と、 (b)減圧雰囲気中、又は不活性ガス及び窒素を主に含む減圧雰囲気中で前記絶縁膜に紫外線を照射して、前記絶縁膜中のSi-CHn結合からCHn基を切り離す工程と、 (c)前記切り離されたCHn基を前記絶縁膜中から排出する工程とを有することを特徴とする低誘電率絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/316 P , C23C16/42 , H01L21/90 P , H01L21/90 J

Fターム (20件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030BA61 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 5F033QQ74 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BH17 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-068830 出願人：株式会社東芝
紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-021505 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-000873 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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