特許
J-GLOBAL ID：200903032048696230

低誘電率絶縁膜の形成方法

発明者：
大平 俊行

大平 俊行 について

, 
塩谷 喜美

塩谷 喜美 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

, 
株式会社半導体プロセス研究所

株式会社半導体プロセス研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154429
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356508
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】既存の半導体製造プロセスに適合する強い膜強度を有し、かつより低い比誘電率を有する絶縁膜を形成することができる低誘電率絶縁膜の形成方法を提供するものである。【解決手段】(a)Si-O-Siの骨格構造にSi-CH3結合を含む絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)減圧雰囲気中で絶縁膜に紫外線を照射して、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離す工程と、(c)切り離されたCH3基を絶縁膜中から排出する工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
(a)Si-O-Si或いはその他のシリカ骨格構造にSi-CHn(n=1、2、3)結合を含む絶縁膜を基板上に形成する工程と、 (b)減圧雰囲気中、又は不活性ガス及び窒素を主に含む減圧雰囲気中で前記絶縁膜に紫外線を照射して、前記絶縁膜中のSi-CHn結合からCHn基を切り離す工程と、 (c)前記切り離されたCHn基を前記絶縁膜中から排出する工程とを有することを特徴とする低誘電率絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/768
FI (4件)：
H01L21/316 P ,  C23C16/42 ,  H01L21/90 P ,  H01L21/90 J
Fターム (20件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030FA01 ,  4K030LA02 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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