特許
J-GLOBAL ID：200903092735404471
紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257207
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 UV硬化工程と低誘電率膜を形成するツールが提供される。【解決手段】半導体製造工程で低誘電率膜を形成する工程とシステムが開示される。最初、カーボン・ドープ酸化シリコン膜が、半導体ウエハの上に堆積される。ついで、紫外線(UV)エネルギーなどの光エネルギーが、被堆積膜に照射されて膜を硬化する。1つの実施例では、光エネルギーの少なくとも30%が可視光を上回る周波数である。好適な実施例では、光エネルギーのウエハへの照射はウエハを著しく加熱しない。本発明はさらに、誘電体膜の形成と硬化に適するクラスタ・ツールまたはシステムを企図する。クラスタ・ツールは、オルガノシラン源に結合される第1チャンバと、第2チャンバ内で受け取られるウエハに光エネルギーを照射するように構成される第2チャンバと、第1チャンバと第2チャンバ間のウエハの移動を制御するのに適したロボット・セクションとを含む。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの上にlowk誘電体層を形成する工程であって:前記半導体ウエハの上にカーボン・ドープ酸化シリコン膜を堆積する段階;および前記カーボン・ドープ酸化シリコン膜に光エネルギーを照射して、前記光エネルギーの少なくとも30%が、可視光の周波数を上回る周波数である段階;によって構成されることを特徴とする工程。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/316 P
, H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
, H01L 21/90 P
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
