半導体表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：池内寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024068
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223629
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】高温加熱を用いることなく、半導体基板の表面に高品質の酸化膜を制御性よく形成することのできる半導体表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面を洗浄した後、濃度0.5vol.%のHF水溶液に5分間浸漬し、活性領域4上の不純物及び自然酸化膜9を除去する。シリコン基板1を超純水で5分間リンス(洗浄)した後、このシリコン基板1を、203°Cに加熱した濃度72.4vol.%の過塩素酸水溶液8に37分間浸漬し、シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜5を形成する。シリコン酸化膜5の上にゲート電極7を形成する。

請求項（抜粋）：