特許
J-GLOBAL ID：200903090218108053

分布帰還型半導体レーザ素子

発明者：
向原 一誠

向原 一誠 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151968
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008396
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 電流ー光出力特性を良好にし、歩留の高い分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 分布帰還型半導体レーザ素子内の回折格子2は、n-InP10と波長組成1.15μmのn-InGaAsP11の2種類の物質を積層してなる多層構造から構成されている。したがって、回折格子の実効的な屈折率が、回折格子を構成する物質の屈折率の平均値となり、積層物質を選択することにより実効的な屈折率を適宜に変更することができる。これにより、回折格子の実質的な高さを低減させると同様な効果を得ることができ、精度を向上させて所望の電流ー光出力特性を満足させる素子を高い確率で製造でき、製造上の歩留を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
回折格子を活性層に沿った方向に備えた分布帰還型半導体レーザ素子において、前記回折格子を屈折率の異なる少なくとも2種類の半導体物質を積層させた多層構造としたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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