特許
J-GLOBAL ID：200903032167750456

窒化物半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245116
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047918
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】高出力が可能な窒化物導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】成長基板上に、n型半導体層1と、活性層3と、p型半導体層2とを順に積層してなる窒化物半導体層を形成し、前記p型半導体層側からエッチングして共振器面を形成させる共振器面形成工程と、前記p型半導体層の上面に、第1の基板を接合させる第1の基板接合工程と、前記成長基板を、前記窒化物半導体層と分離する成長基板分離工程と、前記成長基板を分離して露出された窒化物半導体層を、第2の基板11と接合させる第2の基板接合工程と、前記第1の基板を、前記窒化物半導体層と分離する第1の基板分離工程と、を具備することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成長基板上に、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とを順に積層してなる窒化物半導体層を形成し、前記p型半導体層側からエッチングして共振器面を形成させる共振器面形成工程と、 前記p型半導体層の上面に、第1の基板を接合させる第1の基板接合工程と、 前記成長基板を、前記窒化物半導体層と分離する成長基板分離工程と、 前記成長基板を分離して露出された窒化物半導体層を、第2の基板と接合させる第2の基板接合工程と、 前記第1の基板を、前記窒化物半導体層と分離する第1の基板分離工程と、 を具備することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S5/02 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01S5/02 ,  H01S5/323 610
Fターム (27件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA33 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA19 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
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