特許
J-GLOBAL ID：200903071585276111

窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
竹間 清文

竹間 清文 について

, 
太田 啓之

太田 啓之 について

, 
田中 利之

田中 利之 について


出願人/特許権者：
パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128769
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323797
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ製造方法を提供する。【解決手段】 活性層を含む3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、下地層(Alx'Ga1-x')1-y'Iny'N(0≦x'≦1,0≦y'≦1)上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、基板及び下地層間の界面に向け、基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、積層された結晶層を担持した下地層を分解物領域に沿って基板から剥離する工程と、下地層を劈開又は裂開し、積層した結晶層の共振用劈開面を形成する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
活性層を含む3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、下地層(Alx'Ga1-x')1-y'Iny'N(0≦x'≦1,0≦y'≦1)上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、前記基板及び下地層間の界面に向け、前記基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、積層された結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から剥離する工程と、前記下地層を劈開又は裂開し、積層した結晶層のレーザ共振器を作るべき劈開面を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
Fターム (4件)：
5F073CA17 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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