特許
J-GLOBAL ID：200903032226077930
端面発光型LEDアレイとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008600
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204230
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 発光素子部を高密度化した端面発光型LEDアレイと、その製造方法を提供する。【構成】 第1導電型の板状の半導体下地11にPN接合を有する発光素子部を備えた端面発光型LEDアレイである。半導体下地11の一方の側端面11a側の、表裏両面のそれぞれの角部に切欠部12が形成され、切欠部12のそれぞれに第2導電型の不純物が導入されて不純物領域13が形成されている。半導体下地11上に、不純物領域13に接続し、かつ半導体下地11と絶縁した状態で第2側電極15が形成され、さらに半導体下地11に接続し、かつ第2側電極15と絶縁した状態で第1側電極17が形成されている。不純物領域13が、側端面11aの長さ方向に沿って半導体下地11の表面側および裏面側にてそれぞれ複数ずつ形成されている。また、このLEDアレイの製造方法。
請求項（抜粋）：
第1導電型の板状の半導体下地にPN接合を有する発光素子部を備えた端面発光型LEDアレイであって、前記半導体下地における一方の側端面側の、該半導体下地の表裏両面のそれぞれの面側の角部に切欠部が形成され、該切欠部のそれぞれにおける、前記半導体下地の表層部側に第2導電型の不純物が導入されて不純物領域が形成され、前記半導体下地上に、前記不純物領域に接続し、かつ該半導体下地と絶縁した状態で第2側電極が形成され、前記半導体下地上に、該半導体下地に接続し、かつ前記第2側電極と絶縁した状態で第1側電極が形成されてなり、前記不純物領域が、前記側端面の長さ方向に沿って半導体下地の表面側および裏面側にてそれぞれ複数ずつ形成されてなることを特徴とする端面発光型LEDアレイ。
引用特許：
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