特許
J-GLOBAL ID：200903032262333293

エッチング方法並びに半導体装置およびその製造方法

発明者：
田舎中 博士

田舎中 博士 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228390
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 基板上の半導体層に接する被エッチング層を全面均一に除去できると共に、そのエッチング量を調整でき、半導体層への過剰エッチングを抑制することが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に分離層12c′を介して成長させたエピタキシャル層13を、分離層で半導体基板から剥離しプラスチックフィルム基板21に転写させる。次に、該フィルム基板21を固定台32に固定して、固定台を回転させながら、配管34を通してエッチング液を分離層12c′に供給する。エッチング液は、フィルム基板21の回転で発生する遠心力によって、分離層12c′の露出面全体に均一に供給されるので、分離層が均一にエッチングされ始める。分離層が所定量エッチングされた時、エッチング液の供給を停止し、配管35を通して被エッチング面上に純水を供給する。これにより、被エッチング面が洗浄され、エッチング液による化学反応が停止される。
請求項（抜粋）：
基板に設けられた半導体層と接して存在する被エッチング層を選択的に除去するためのエッチング方法であって、前記基板を回転可能な基板固定手段に固定させると共に、前記基板を回転させつつ前記被エッチング層にエッチング液を供給し、その後、所定のタイミングでエッチング液による化学反応を停止させることにより、前記被エッチング層のエッチング量を調整することを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/306 B ,  H01L 21/308 C ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 E
Fターム (11件)：
5F043AA09 ,  5F043AA40 ,  5F043BB01 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10 ,  5F051CB21 ,  5F051CB29 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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