特許
J-GLOBAL ID：200903032306305276
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003069
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208600
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高速半導体装置(MESFET)において、大出力動作実施例におけるガン発振を抑制し、出力パワーの減少を回避する。【解決手段】 基板として低抵抗GaAs基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層23と低抵抗基板21との間にGaAs/AlGaAsの超格子バッファ層22を介在させる。これにより、低抵抗基板とバッファー層との間の界面へのデバイス層からのリーク、およびかかる界面におけるリークした電子の蓄積を抑制できる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され、活性素子が形成されるデバイス層とよりなる半導体装置において、前記化合物半導体基板は少なくともその表面において1.0×108Ωcm以下の比抵抗を有し、前記化合物半導体基板と前記デバイス層との間には、超格子構造を有するバッファ層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/737
, H01L 21/331
, H01L 29/778
H01L 29/80 B
, H01L 29/72 H
, H01L 29/80 H
5F003AP00
, 5F003BA92
, 5F003BF06
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ00
, 5F102GJ05
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GK08
, 5F102HC01
