半導体用ウエハの鏡面研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327872
公開番号（公開出願番号）：特開2001-138225
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】半導体用ウエハの鏡面加工面が外周部のみ研磨が促進されされないようにすることによって、半導体用ウエハの平坦度を向上させる半導体用ウエハの鏡面研磨方法を提供する。【解決手段】定盤の表面に貼着された研磨布2に半導体用ウエハ3を加圧しながら移動させることにより、半導体用ウエハの表面を平坦度の高い鏡面に研磨仕上げする半導体用ウエハの鏡面研磨方法において、前記半導体用ウエハ3が、前記研磨布2の全領域、及び前記半導体用ウエハの一部が前記研磨布の外周縁よりはみ出した範囲L1 まで移動する。このように、半導体用ウエハ3の外周部を研磨布の外周縁からはみ出させる(オーバーハングさせる)ことにより、外周部の研磨を遅らせて半導体用ウエハの外周部の過分の研磨量を相殺し、平坦度の精度低下を防止する。

請求項（抜粋）：

定盤の表面に貼着された研磨布に半導体用ウエハを加圧しながら移動させることにより、半導体用ウエハの表面を平坦度の高い鏡面に研磨仕上げする半導体用ウエハの鏡面研磨方法において、前記半導体用ウエハは、前記研磨布の全領域、及び前記半導体用ウエハの一部が前記研磨布の外周縁よりはみ出した範囲において移動することを特徴とする半導体用ウエハの鏡面研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/04 F , H01L 21/304 622 G , H01L 21/304 622 L

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AA12 , 3C058AB01 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058CB01 , 3C058CB10 , 3C058DA06 , 3C058DA09 , 3C058DA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

ウェーハ研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-259581 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
半導体ウェハ研磨機
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-326698 出願人：三菱マテリアル株式会社
半導体ウェハのラッピング方法およびそのラッピング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075343 出願人：コマツ電子金属株式会社

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