特許
J-GLOBAL ID：200903032349129900

SiC単結晶の製造方法

発明者：
坂元 秀光

坂元 秀光 について

, 
寺島 由紀夫

寺島 由紀夫 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  亀松 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106145
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277049
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】温度勾配を増加させることなく成長速度を向上させ、同時に、安定して平坦な成長表面を維持できるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種とを添加する。希土類元素がDyまたはCeであることが望ましい。添加元素を含むSi融液全体に対して、希土類元素の添加量が5〜30at%であり、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種の添加量が5〜20at%であることが望ましい。Sn、Al、GeのうちSnを添加することが望ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、 上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種とを添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (9件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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