特許
J-GLOBAL ID:200903032400752553
有機珪素化合物による処理粉体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志村 光春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-032084
公開番号(公開出願番号):特開2007-197412
出願日: 2006年02月09日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】種々の問題を引き起こすことが知られている、シリコーン処理粉体におけるSi-H基や、アルコキシシランを用いた場合に残存するアルコキシ基の効率的な消去手段を確立して、いっそう優れたシリコーン処理粉体を提供する手段を確立すること。 【解決手段】Si-H基を1つ以上有するシリコーン化合物や、特定のアルコキシシランが被覆又は表面吸着されている粉体粒子を、過熱水蒸気と接触させてなることを特徴とするシリコーン処理粉体を提供することにより、上記の課題を解決することが可能であることを見出した。 【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記(1)〜(3)から選ばれる有機珪素化合物で表面処理されている粉体粒子を、過熱水蒸気と接触させてなることを特徴とする処理粉体。
(1) Si-H基を1つ以上有するシリコーン化合物
(2) (1)のシリコーン化合物と、Si-H基を有していないシリコーン化合物との混合物
(3) 下記一般式(II)にて表されるアルコキシシラン:
RnSi(OR’)4-n (II)
[式中、Rは、炭素原子数1〜18の直鎖若しくは分岐のアルキル基、フェニル基、又は、水素原子を表し、R’は、炭素原子数1〜4の直鎖若しくは分岐のアルキル基、又は、炭素原子数1〜4の直鎖若しくは分岐のヒドロキシアルキル基を表し、nは、1〜3の数を表す]
IPC (8件):
A61K 8/19
, A61Q 19/00
, A61Q 1/12
, A61Q 1/02
, A61Q 1/06
, A61Q 17/04
, C09C 3/12
, A61K 8/58
FI (8件):
A61K8/19
, A61Q19/00
, A61Q1/12
, A61Q1/02
, A61Q1/06
, A61Q17/04
, C09C3/12
, A61K8/58
Fターム (64件):
4C083AA122
, 4C083AB032
, 4C083AB172
, 4C083AB212
, 4C083AB232
, 4C083AB242
, 4C083AB362
, 4C083AB432
, 4C083AC012
, 4C083AC022
, 4C083AC102
, 4C083AC122
, 4C083AC262
, 4C083AC342
, 4C083AC352
, 4C083AC392
, 4C083AC422
, 4C083AC432
, 4C083AC442
, 4C083AC482
, 4C083AC512
, 4C083AC692
, 4C083AC712
, 4C083AC852
, 4C083AD092
, 4C083AD152
, 4C083AD162
, 4C083AD172
, 4C083AD272
, 4C083AD342
, 4C083AD392
, 4C083BB23
, 4C083BB24
, 4C083BB25
, 4C083CC12
, 4C083CC13
, 4C083CC19
, 4C083DD21
, 4C083DD31
, 4C083DD32
, 4C083DD33
, 4C083EE03
, 4C083EE06
, 4C083EE07
, 4C083EE11
, 4C083EE17
, 4J037AA08
, 4J037AA11
, 4J037AA15
, 4J037AA16
, 4J037AA18
, 4J037AA19
, 4J037AA22
, 4J037AA25
, 4J037AA30
, 4J037CB23
, 4J037CB26
, 4J037CC28
, 4J037DD05
, 4J037EE11
, 4J037EE16
, 4J037EE43
, 4J037EE47
, 4J037FF15
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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