特許

J-GLOBAL ID：200903032413037721

紫外線受光素子および火炎センサ

発明者： 平野 光 ,  天野 浩 ,  上山 智 ,  赤▲崎▼ 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195959
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039913
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】基板の結晶成長面の格子間隔と受光領域の形成に係る窒化物半導体の格子間隔との間の格子不整合の問題が解決された紫外線受光素子を提供する。【解決手段】紫外線受光素子が、ZrB2基板上に、窒化物緩衝層と、n型窒化物半導体層と、単数または複数の窒化物半導体層とが順次堆積して形成され、一対の電極に挟まれる前記n型窒化物半導体層および前記単数または複数の窒化物半導体層の内の単数または複数の半導体層が受光領域として作用する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ZrB2基板上に、窒化物緩衝層と、n型窒化物半導体層と、単数または複数の窒化物半導体層とが順次堆積して形成され、 一対の電極に挟まれる前記n型窒化物半導体層および前記単数または複数の窒化物半導体層の内の単数または複数の半導体層が受光領域として作用する紫外線受光素子。

IPC (3件)：

H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14

FI (4件)：

H01L31/10 A ,  G01J1/02 G ,  G01J1/02 J ,  H01L27/14 Z

Fターム (30件)：

2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA09 ,  2G065CA05 ,  2G065CA08 ,  2G065DA06 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA15 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA03 ,  5F049QA06 ,  5F049QA18 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-228903   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 京セラ株式会社, 大谷茂樹, 須田淳
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-265506   出願人：三菱電線工業株式会社, 株式会社ニコン
• 窒化物半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-101217   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 特開平4-029375
  
• 特開平4-029375