特許
J-GLOBAL ID：200903032529618918

半導体装置

発明者：
小西 孝彦

小西 孝彦 について

, 
竹野 正彦

竹野 正彦 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-017031
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222938
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 たとえばトランジスタのコレクタウォールと呼ばれるような電極と接続するための低抵抗層を半導体層の深さ方向に形成する場合に、他の領域には拡散などによる影響を殆ど受けなくしながら、エピタキシャル成長層を厚くすることなく低抵抗領域が形成される半導体装置を提供する。【解決手段】 p形半導体基板1上にn形の低不純物濃度半導体層2がエピタキシャル成長などにより設けられ、その低不純物濃度半導体層2内に縦方向に半導体素子を形成するために少なくともp形拡散領域3が設けられ、そのn形の低不純物濃度半導体層2およびp形拡散領域3にそれぞれ電気的に接続して、半導体層表面にコレクタ電極5およびベース電極6が形成されている。そして、このコレクタ電極5が、低不純物濃度半導体層2中に深さ方向に形成された多結晶半導体からなるn+形の低抵抗領域9の表面に形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に設けられる第1導電形の低不純物濃度半導体層と、該低不純物濃度半導体層内に縦方向に半導体素子を形成するために少なくとも設けられる第2導電形拡散領域と、前記第1導電形の低不純物濃度半導体層および前記第2導電形拡散領域にそれぞれ電気的に接続して半導体層表面に形成される第1および第2の電極とを有する半導体装置であって、前記第1の電極が、前記低不純物濃度半導体層中に深さ方向に形成された多結晶半導体からなる第1導電形低抵抗領域の表面に形成されてなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/732 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/861
FI (3件)：
H01L 29/72 P ,  H01L 21/88 J ,  H01L 29/91 C
Fターム (15件)：
5F003BC05 ,  5F003BC07 ,  5F003BC08 ,  5F003BH06 ,  5F003BH18 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BP34 ,  5F003BZ01 ,  5F033HH00 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033VV09 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開昭49-025871
  • 特開昭49-025871
  • 特開昭63-024672
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