特許
J-GLOBAL ID：200903032539343186

半導体装置およびその製造方法

発明者：
玉川 道昭

玉川 道昭 について

, 
南澤 正榮

南澤 正榮 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190859
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012830
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 信頼性が高く放熱性に優れた半導体装置を低コストで形成する。【解決手段】 半導体素子4と放熱部材である蓋7を、炭素焼結体に半田を含浸させた半田含有炭素焼結体6aの表面に外側半田層6b,6cが形成された半田含有炭素部材6を介して接合する。半導体素子4と蓋7の接合部に炭素焼結体を用いることにより、高い放熱性を確保しつつ、半導体素子4の発熱時の熱応力を緩衝することができる。また、安価な半田を含浸させることにより、炭素焼結体と外側半田層6b,6cを強固に接合することができ、さらに、外側半田層6b,6cにより、半導体素子4と蓋7を強固に接合することができる。これにより、信頼性が高く、放熱性に優れた半導体装置1が低コストで実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子で発生する熱を放熱する放熱部材を備えた半導体装置において、 前記半導体素子と前記放熱部材とが、金属を含有させた炭素材料を用いた金属含有炭素部材を介して、接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L23/36 D ,  H01L23/12 501B
Fターム (10件)：
5F136BB18 ,  5F136BC02 ,  5F136BC06 ,  5F136DA08 ,  5F136EA13 ,  5F136FA22 ,  5F136FA42 ,  5F136FA82 ,  5F136GA31 ,  5F136GA33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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