特許
J-GLOBAL ID：200903032655283018
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044335
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253703
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】本発明は半導体チップから発生する熱の放熱効率の向上を図った半導体装置及びその製造方法に関し、半導体素子で発生する熱を確実に放熱すると共に装置内部で発生する応力の低減を図ることを課題とする。【解決手段】半導体チップ12と、この半導体チップ12で発生する熱を放熱する放熱部材14Aと、半導体チップ12と放熱部材14Aを熱的に接続する接続部材16Aとを有する半導体装置において、この接続部材16Aを金属(Cu)により形成すると共に、変形することにより半導体チップ12と放熱部材14Aとの間に発生する応力を吸収する構成とし、かつ、接続部材16Aと半導体チップ12の背面に形成された金属層22とを金属接合した構成とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子と、
該半導体素子で発生する熱を放熱する放熱部材と、
前記半導体素子と前記放熱部材を熱的に接続する接続部材とを有する半導体装置において、
前記接続部材を金属により形成すると共に、変形することにより前記半導体素子と前記放熱部材との間に発生する応力を吸収する構成とし、
かつ、該接続部材と前記半導体素子とを金属接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/36 D
, H01L23/36 Z
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB14
, 5F036BB21
, 5F036BC06
