特許
J-GLOBAL ID：200903032548078754
炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172130
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096233
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来の炭素膜に比べると潤滑性に富み、物品へ密着性良好に形成できる炭素膜及びその形成方法を提供する。また、かかる炭素膜が密着性良く被覆された炭素膜被覆物品及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フッ素及び水素を含有する炭素膜であり、FT-IR(フーリエ変換赤外線)分光分析によるスペクトルにおいて、C-F結合に由来する1000cm-1〜1300cm-1のピーク面積(IR・C-F)とC-H結合に由来する2800cm-1〜3100cm-1のピーク面積(IR・C-H)との比(IR・C-F)/(IR・C-H)が0より大きく、且つ、XPS(X線光電子分光分析)によるスペクトルにおいて、F1Sに由来するピーク強度とC1Sに由来するピーク強度との比(F1S/C1S)が0より大きく3より小さい炭素膜5及びこの炭素膜で被覆された物品S。
請求項（抜粋）：
フッ素及び水素を含有する炭素膜であり、FT-IR(フーリエ変換赤外線)分光分析によるスペクトルにおいて、C-F結合に由来する1000cm-1〜1300cm-1のピーク面積(IR・C-F)とC-H結合に由来する2800cm-1〜3100cm-1のピーク面積(IR・C-H)との比(IR・C-F)/(IR・C-H)が0より大きく、且つ、XPS(X線光電子分光分析)によるスペクトルにおいて、F1Sに由来するピーク強度とC1Sに由来するピーク強度との比(F1S/C1S)が0より大きく3より小さいことを特徴とする炭素膜。
IPC (5件)：
C23C 16/26
, B01J 19/08
, C01B 31/02 101
, C23C 16/50
, C30B 29/04
C23C 16/26 A
, B01J 19/08 H
, C01B 31/02 101 Z
, C23C 16/50
, C30B 29/04 X
