特許
J-GLOBAL ID：200903032656805123
フォトレジスト除去用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 崇生 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-519234
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507772
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジスト除去用組成物に関する。【解決手段】 本発明によるフォトレジスト除去用組成物は、10〜30重量%のアミン化合物、20〜60重量%のグリコール系溶剤、20〜60重量%の極性溶剤、及び0.01〜3重量%パーフルオロアルキルエチレンオキシドを含むことを特徴とする。乾式または湿式エッチング、アッシング、イオン注入などの工程によって変質して基板上に残留されるフォトレジストを除去する性能が改善されると同時に、アルミニウムなどの各種金属膜層に対して広がり性が優れていながら、これらに対する腐食力は弱いという長所も有する。
請求項（抜粋）：
10〜30重量%のアミン化合物、 20〜60重量%のグリコール系溶剤、 20〜60重量%の極性溶剤、及び 0.01〜3重量%パーフルオロアルキルエチレンオキシド、 を含むフォトレジスト除去用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096HA17
, 2H096HA30
, 2H096JA04
, 2H096LA03
, 5F046MA02
