特許
J-GLOBAL ID：200903032683550102

セラミック配線基板およびその製造方法

発明者：
森田 幸雄

森田 幸雄 について

, 
井上 友喜

井上 友喜 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364693
公開番号（公開出願番号）：特開2002-171029
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】配線導体層間でショート等が発生せず絶縁性が高く、また微細パターン化された配線導体層を有するセラミック配線基板を提供すること。【解決手段】セラミック基板1の主面に配線導体層2が形成されたセラミック配線基板であって、主面のうち配線導体層2の形成部が配線導体層2の非形成部より1〜50μm高くなっている。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の主面に配線導体層が形成されたセラミック配線基板であって、前記主面のうち前記配線導体層の形成部が前記配線導体層の非形成部より1〜50μm高くなっていることを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (4件)：
H05K 1/02 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/04
FI (4件)：
H05K 1/02 A ,  H05K 3/04 D ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 D
Fターム (25件)：
5E338AA05 ,  5E338AA18 ,  5E338BB61 ,  5E338BB63 ,  5E338CC01 ,  5E338CD11 ,  5E338EE11 ,  5E339AB06 ,  5E339AC02 ,  5E339AC07 ,  5E339BC01 ,  5E339BD03 ,  5E339BD05 ,  5E339BD08 ,  5E339BD11 ,  5E339BE01 ,  5E339CC01 ,  5E339CD01 ,  5E339CE12 ,  5E339CE15 ,  5E339CF15 ,  5E339CG02 ,  5E339DD02 ,  5E339FF02 ,  5E339FF10
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM