特許
J-GLOBAL ID：200903032691117280

集束イオンビーム装置及び試料の加工・観察方法

発明者：
岩崎 浩二

岩崎 浩二 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-036605
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220344
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。【解決手段】集束イオンビーム装置1は、試料Sを載置する試料台2と、試料台2を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ3と、試料Sに対して集束イオンビームI1、I2を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒11及び第二の集束イオンビーム鏡筒12とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒11及び第二の集束イオンビーム鏡筒12は、互いの集束イオンビームI1、I2の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている【選択図】図2
請求項（抜粋）：
試料を載置する試料台と、 該試料台を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージと、 前記試料に対して集束イオンビームを照射する第一の集束イオンビーム鏡筒及び第二の集束イオンビーム鏡筒とを備え、 前記第一の集束イオンビーム鏡筒及び前記第二の集束イオンビーム鏡筒は、互いの集束イオンビームの照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視前記鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されていることを特徴とする集束イオンビーム装置。
IPC (6件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/20 ,  G01N 1/32 ,  G01N 1/28 ,  G01N 23/225 ,  G01N 23/04
FI (6件)：
H01J37/317 D ,  H01J37/20 C ,  G01N1/32 B ,  G01N1/28 G ,  G01N23/225 ,  G01N23/04
Fターム (41件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA09 ,  2G001AA10 ,  2G001AA20 ,  2G001BA06 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001CA10 ,  2G001DA06 ,  2G001DA10 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001JA03 ,  2G001JA07 ,  2G001JA13 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  2G001PA12 ,  2G001PA14 ,  2G001PA15 ,  2G001QA01 ,  2G001RA04 ,  2G001RA08 ,  2G001RA20 ,  2G052AA13 ,  2G052AC28 ,  2G052AD32 ,  2G052EC14 ,  2G052EC16 ,  5C001AA03 ,  5C001AA05 ,  5C001AA06 ,  5C001BB03 ,  5C001BB07 ,  5C001CC07 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM