バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068286
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】従来型のバイポーラトランジスタよりエミッタ抵抗の低いバイポーラトランジスタを提供することである。【解決手段】半絶縁性基板上にn型コレクタコンタクト層、n型コレクタ層、p型ベース層、該p型ベース層よりも禁制帯幅の大きいn型エミッタ層、及び該n型エミッタ層よりも禁制帯幅が小さくかつ不純物濃度が高いn型エミッタコンタクト層が順次形成され、前記n型エミッタ層と前記n型エミッタコンタクト層の間に、前記n型エミッタ層よりも不純物濃度が高くかつ該n型エミッタ層及び前記n型エミッタコンタクト層との接合面において伝導帯不連続が生じないように結晶組成を傾斜させたn型半導体の組成傾斜層を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上にn型コレクタコンタクト層、n型コレクタ層、p型ベース層、該p型ベース層よりも禁制帯幅の大きいn型エミッタ層、及び該n型エミッタ層よりも禁制帯幅が小さく、かつ、不純物濃度が高いn型エミッタコンタクト層が順次形成され、前記n型エミッタ層と前記n型エミッタコンタクト層の間に、前記n型エミッタ層よりも不純物濃度が高く、かつ、該n型エミッタ層及び前記n型エミッタコンタクト層との接合面において伝導帯不連続が生じないように結晶組成を傾斜させたn型半導体からなる組成傾斜層を有することを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

Fターム (11件)：

5F003BA92 , 5F003BA93 , 5F003BB04 , 5F003BB06 , 5F003BB08 , 5F003BB90 , 5F003BE01 , 5F003BE04 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM03

引用特許：

審査官引用 (7件)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248051 出願人：株式会社東芝
特開平2-271534
特開平2-271534

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