窒化物半導体基板の加工方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281647
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356609
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】直径が45mm以上で、反りがなく、平坦性、平滑性にすぐれたGaAs自立基板を提供する。【解決手段】粗研磨では上定盤3を引き上げ、無荷重の状態で研磨することによりGaN基板2を反りをR≧50mとする。精密研磨ではペルオキソ2硫酸カリウム、水酸化カリウムと紫外線によって化学的にGaNを研磨する。遊離砥粒による機械的研磨と合わせることによりGaNの化学的機械的研磨(CMP)が可能となる。これらの方法により、表面および裏面の面粗度をそれぞれ0.1nm≦RMS≦0.5nmおよび0.1nm≦RMS≦2nmとすることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

直径が45mm以上で、一つの極大点または極小点をもつ一様反りがあり中央部での高さHが12μm以下もしくは反りの曲率半径Rが21m以上であって、表面粗さが0.1nm≦RMS≦5nmで、裏面粗さが0.1nm≦RMS≦5000nmであることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/306

FI (6件)：

H01L21/304 621A , H01L21/304 622W , B24B37/00 Z , C30B29/38 D , H01L21/20 , H01L21/306 M

Fターム (19件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077FG07 , 4G077FH08 , 4G077HA12 , 5F043AA05 , 5F043BB10 , 5F043DD08 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043FF07 , 5F043GG10 , 5F052KA01

引用特許：

出願人引用 (12件)

GaN単結晶基板及びその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP1998004908 出願人：住友電気工業株式会社
GaN単結晶基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-183446 出願人：住友電気工業株式会社
GaN単結晶基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-171276 出願人：住友電気工業株式会社

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審査官引用 (5件)

単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273882 出願人：住友電気工業株式会社
窒化ガリウム部材の気相エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-058471 出願人：学校法人学習院, 日本学術振興会
窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-259254 出願人：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社

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