結晶性半導体膜の作製方法、結晶性珪素膜の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271004
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043192
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【解決手段】第1の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜上に酸化半導体膜又は窒化半導体膜を形成し、酸化半導体膜又は窒化半導体膜上に欠陥密度が第1の非晶質珪素膜に含まれている金属元素の濃度よりも高い第2の非晶質半導体膜を形成し、結晶性半導体膜及び第2の非晶質半導体膜を加熱する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に酸化半導体膜又は窒化半導体膜を形成し、前記酸化半導体膜又は窒化半導体膜上に欠陥密度が前記第1の非晶質珪素膜に含まれている金属元素の濃度よりも高い第2の非晶質半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/322

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L21/322 P , H01L29/78 627Z

Fターム (46件)：

5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE06 , 5F110EE34 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HM14 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28 , 5F152AA08 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CD13 , 5F152CE05 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CF13 , 5F152CF18 , 5F152CF24 , 5F152DD04 , 5F152DD05 , 5F152DD06 , 5F152DD07 , 5F152FF01 , 5F152FF21 , 5F152FG18

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-271703 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079002 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭60-119733

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