特許
J-GLOBAL ID：200903032926002796

ネガ型レジスト組成物

発明者：
安波 昭一郎

安波 昭一郎 について

, 
白川 浩司

白川 浩司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238157
公開番号（公開出願番号）：特開2004-077810
出願日： 2002年08月19日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はX線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A) アルカリ可溶性樹脂、(B-1) 分子内に少なくともひとつのベンゼン環を含むフェノール誘導体であり、いずれかのベンゼン環に結合した2個以上の架橋基を有し、該架橋基がヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基からなる群から選択される1以上の基である、酸の作用により(A)のアルカリ可溶性樹脂と架橋する架橋剤、(B-2) 特定の基を少なくとも2個以上有する、酸の作用により(A)のアルカリ可溶性樹脂と架橋する架橋剤、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A) アルカリ可溶性樹脂、 (B-1)分子内に少なくともひとつのベンゼン環を含むフェノール誘導体であり、いずれかのベンゼン環に結合した2個以上の架橋基を有し、該架橋基がヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基及びアシルオキシメチル基からなる群から選択される基である、酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂(A)と架橋する架橋剤、 (B-2)下記一般式(1)又は下記一般式(2)で表される基から選ばれる基を少なくとも2個以上有する、酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂(A)と架橋する架橋剤、及び、 (C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物 を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F7/038 ,  C08F12/24 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  C08F12/24 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (42件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB17 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB02R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AM02Q ,  4J100AM21P ,  4J100AQ01Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA37P ,  4J100BA40Q ,  4J100BA41Q ,  4J100BB01P ,  4J100BB01Q ,  4J100BB01R ,  4J100BB03Q ,  4J100BB03R ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (5件)
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