特許
J-GLOBAL ID：200903032933400802

導電体

発明者：
高山 隆司

高山 隆司 について

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中西 純一

中西 純一 について

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高田 知憲

高田 知憲 について

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伊藤 秀己

伊藤 秀己 について


出願人/特許権者：
タキロン株式会社

タキロン株式会社 について


代理人 (1件)： 河▲崎▼ 眞樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098994
公開番号（公開出願番号）：特開2006-272876
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】表面抵抗率の経時的変化が極めて少なく、初期の表面抵抗率を維持し得る導電体を提供する。【解決手段】基材1の少なくとも片面に導電膜2が形成され、該導電膜の上面及び周囲が水分を含む外気から封止材3にて封止された構成の導電体Aとするか、基材と導電膜と上面材とがこの順で形成され、導電膜の周囲が封止材にて封止された構成の導電体とするか、基材と導電膜と上面材とがこの順で形成され、導電膜の周囲において基材と上面材とが接合されて封止された構成の導電体とするか、導電膜の上下両面及び周囲が封止材にて封止された構成の導電体とする。導電膜2が外気から封止されて外気中の水分との接触が絶たれるため、導電膜2の表面抵抗率の変化が極めて小さくなり、初期とほぼ同じ表面抵抗率に維持される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材の少なくとも片面に導電膜が形成されていると共に、該導電膜の上面及び周囲が水分を含む外気から封止材にて封止されていることを特徴とする導電体。
IPC (3件)：
B32B 7/02 ,  H01B 5/14 ,  H05K 9/00
FI (4件)：
B32B7/02 104 ,  H01B5/14 A ,  H01B5/14 Z ,  H05K9/00 V
Fターム (35件)：
4F100AA37 ,  4F100AD11 ,  4F100AK25 ,  4F100AK45 ,  4F100AK51 ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DB06 ,  4F100GB41 ,  4F100JD01C ,  4F100JD04 ,  4F100JG01B ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  5E321BB23 ,  5E321BB44 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01 ,  5E321GH07 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FB03 ,  5G307FC04 ,  5G307GA01 ,  5G307GA05 ,  5G307GA06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (15件)
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