特許
J-GLOBAL ID：200903032955564604

埋設ゲート型半導体装置

発明者：
櫛田 知義

櫛田 知義 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (3件)： 岡戸 昭佳 ,  富澤 孝 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371308
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207289
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】埋設ゲート型半導体装置において,ゲート間隔を可能な限り縮小し,チャネル密度を向上させて低いオン抵抗を実現させ,ゲートの底面付近での電界集中による耐圧低下を防止し,また,耐圧低下の防止とオフ特性とを両立させた埋設ゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】平断面内において長方形の断面形状を有する多数のゲート電極106を格子状に配置する。そして,ゲート電極106の長辺同士の間隔106Tを,短辺同士の間隔106Sより短くする。さらに,ゲート電極106の短辺同士の間に帯状のコンタクト開口108を設け,ここでp+ソース領域100やn+ソース領域104がソース電極と接するようになっている。これにより,コンタクト開口108の幅と無関係にゲート電極106の長辺同士の間隔106Tを設定できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された第1の一導電型半導体領域と, その上に形成された他導電型のチャネル半導体領域と, 前記チャネル半導体領域を貫通するように半導体基板に埋設され,基板表面と平行な面内にて長辺およびこれと交差する短辺を有し,少なくとも短辺の長さ方向に反復して配列された複数の埋設ゲートと, 前記チャネル半導体領域の表面側に形成された第2の一導電型半導体領域と,埋設ゲートの底面より深い底部を持つとともに,少なくとも埋設ゲートの短辺側側部に形成された第2の他導電型半導体領域と, 配線層とを備え, 前記第2の一導電型半導体領域と前記配線層とが接触するコンタクト部が,埋設ゲートの短辺側に配置されていることを特徴とする埋設ゲート型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/80
FI (11件)：
H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 654C ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/80 V
Fターム (10件)：
5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM