特許
J-GLOBAL ID：200903032972036026

半導体ウェーハの処理方法

発明者：
小林 克朗

小林 克朗 について

, 
野村 尚史

野村 尚史 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について

, 
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-255754
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124825
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【構成】 液状組成物の塗布工程を含む半導体ウェーハの処理工程において、半導体ウェーハの周辺部、縁辺部及び裏面部に生じる余剰塗布膜付着分を、ノズルを通して供給される有機溶剤の噴射流により洗浄して除去するにあたり、該有機溶剤として、溶存気体を減圧雰囲気中に配置された気体透過性管壁を有する中空状チューブ内を通過させることによって脱気した有機溶剤を用いる。ノズル孔径は0.1〜1.0mmが好適で、半導体ウェーハを回転させながら半導体ウェーハの周辺部に、脱気した有機溶剤を噴射し、またノズルを半導体ウェーハの上方適所に配設するのが好ましい。【効果】 半導体ウェーハの周辺部、縁辺部及び裏面部に付着したシリカ系被膜形成用塗布膜やレジスト塗布膜を、効率よく、しかも必要な塗布部分に悪影響を与えることなく洗浄除去でき、大口径の半導体ウェーハにも有効で、高い精度と歩留りが要求される半導体素子や液晶表示素子などの電子部品製造分野に用いて好適である。
請求項（抜粋）：
液状組成物の塗布工程を含む半導体ウェーハの処理工程において、半導体ウェーハの周辺部、縁辺部及び裏面部に生じる余剰塗布膜付着分を、ノズルを通して供給される有機溶剤の噴射流により洗浄して除去するにあたり、該有機溶剤として、溶存気体を減圧雰囲気中に配置された気体透過性管壁を有する中空状チューブ内を通過させることによって脱気した有機溶剤を用いることを特徴とする半導体ウェーハの処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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