特許

J-GLOBAL ID：200903032987620778

有機薄膜集積回路の製造方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 井本 努
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412154
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175157
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】所望の形状を形成するために、レジスト材料を用いる必要が無く、且つ、有機薄膜材料等を通過させるためのマスクを用いる必要も無いFETの製造方法を提供する。【解決手段】FETの製造方法は、基体11上にゲート電極12を形成した後;基体11及びゲート電極12上にゲート絶縁膜13を形成し;次いで、ゲート絶縁膜13上にソース/ドレイン電極14を形成した後;全面に有機半導体薄膜15を形成し、次いで、有機半導体薄膜15にエネルギー線を照射することのみでエネルギー線に照射された有機半導体薄膜15の部分を除去することによって、ソース/ドレイン電極14間のゲート絶縁膜13の部分、及び、ソース/ドレイン電極14上に有機半導体薄膜15を残し、有機半導体薄膜15から成るチャネル形成領域16を得る各工程を具備する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

有機薄膜集積回路の製造方法であって、 該有機薄膜集積回路を構成する有機薄膜にエネルギー線を照射することで、エネルギー線に照射された該有機薄膜の部分を除去することを特徴とする有機薄膜集積回路の製造方法。

IPC (5件)：

H01L51/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L29/28 ,  H01L21/268 E ,  H01L21/302 201B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B

Fターム (33件)：

5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BB02 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE36 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-064964   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

審査官引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146004   出願人：株式会社日立製作所
• 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-030234   出願人：ソニー株式会社
• 有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-151748   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社