特許
J-GLOBAL ID：200903032987620778

有機薄膜集積回路の製造方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法

発明者：
井本 努

井本 努 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412154
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175157
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】所望の形状を形成するために、レジスト材料を用いる必要が無く、且つ、有機薄膜材料等を通過させるためのマスクを用いる必要も無いFETの製造方法を提供する。【解決手段】FETの製造方法は、基体11上にゲート電極12を形成した後;基体11及びゲート電極12上にゲート絶縁膜13を形成し;次いで、ゲート絶縁膜13上にソース/ドレイン電極14を形成した後;全面に有機半導体薄膜15を形成し、次いで、有機半導体薄膜15にエネルギー線を照射することのみでエネルギー線に照射された有機半導体薄膜15の部分を除去することによって、ソース/ドレイン電極14間のゲート絶縁膜13の部分、及び、ソース/ドレイン電極14上に有機半導体薄膜15を残し、有機半導体薄膜15から成るチャネル形成領域16を得る各工程を具備する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
有機薄膜集積回路の製造方法であって、 該有機薄膜集積回路を構成する有機薄膜にエネルギー線を照射することで、エネルギー線に照射された該有機薄膜の部分を除去することを特徴とする有機薄膜集積回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L51/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/28 ,  H01L21/268 E ,  H01L21/302 201B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B
Fターム (33件)：
5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BB02 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE36 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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