特許
J-GLOBAL ID：200903033031204764
トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体セル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-531496
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525500
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセルは、第1の伝導性タイプを有する基板と、基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域とを備える。ボディ領域及び基板には、少なくとも1つのトレンチが形成されている。トレンチの内壁には、絶縁層が形成されており、絶縁層上には、導電性電極が形成されている。トレンチに隣接するボディ領域の一部には、第1の伝導性タイプを有するソース領域が形成されている。ソース領域は、第1の層と、第1の層上に形成された第2の層とを備える。第1の層は、第2の層より、不純物濃度が低くなるように、不純物がドープされている。
請求項（抜粋）：
第1の伝導性タイプを有する基板と、
上記基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域と、
上記ボディ領域及び基板に形成された少なくとも1つのトレンチと、
上記トレンチの内壁に形成された絶縁層と、
上記トレンチ内において、絶縁層上に設けられた導電性電極と、
上記トレンチに隣接する上記ボディ領域の一部に形成された第1の伝導性タイプを有するソース領域であって、第1の層と、該第1の層上に形成され、該第1の層より不純物濃度が高い第2の層とを有するソース領域とを備えるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652B
