特許
J-GLOBAL ID：200903045777830669

結晶の熱処理方法及び半導体装置

発明者：
高橋 幸司

高橋 幸司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012254
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319548
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 GaInNAsを始めとする窒素と窒素以外のV族元素とを混晶化したIII-V族化合物混晶半導体材料の様に、結晶中に窒素を数%程度混晶化する材料の結晶成長において、発光特性に優れた結晶を得る為の熱処理方法を提供するものである。【解決手段】 窒素と、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素とを共にV族組成として含むIII-V族化合物半導体を、熱処理する際、50°C/秒以上、500°C/秒以下の昇温速度で昇温する第一の工程と、550°C以上、900°C以下の保持温度で保持する第二の工程と、を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒素と、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素とを共にV族組成として含むIII-V族化合物半導体を、熱処理する際、50°C/秒以上、500°C/秒以下の昇温速度で昇温する第一の工程と、550°C以上、900°C以下の保持温度で保持する第二の工程と、を有することを特徴とする結晶の熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/26 F
Fターム (10件)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA16 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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