特許

J-GLOBAL ID：200903033055932493

レジスト膜及び半導体装置の製造方法

発明者： 林 俊司
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017246
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214290
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 エッチング中にレジスト膜がチャージアップすることによる影響を回避したレジスト膜及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 被エッチング材である絶縁膜(BPSG膜)12の表面にレジスト材16を形成し、該レジスト材16の全周面を導電膜(アモルファスカーボン膜14、18で被覆するように形成した後に絶縁膜12のエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

被エッチング材の表面に全周面が導電膜で被覆されたレジスト材を形成することを特徴とするレジスト膜。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/302

FI (5件)：

H01L 21/30 541 P ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-084430
  
• 露光用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-001626   出願人：株式会社東芝
• 導電性レジスト膜及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217804   出願人：富士通株式会社
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120755   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-271625
  
• 特開平2-192716
  
• 特開昭63-288017
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-034345   出願人：富士通株式会社