特許
J-GLOBAL ID：200903033085584171

シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ

発明者：
柴山 隆

柴山 隆 について

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村上 義男

村上 義男 について

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新行内 隆之

新行内 隆之 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019920
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224130
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 OSF等を核とした残留結晶欠陥、研磨等の機械的加工に起因する残留加工起因欠陥等による不良点を低減することにより、GOI特性に優れたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットの格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域P及びリング状酸化誘起積層欠陥の発生する領域Rを含むパーフェクト領域から切り出されたシリコンウェーハに、水素、アルゴン、またはそれらの混合ガス雰囲気中にて急速加熱・急速冷却の熱処理を施すことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
熱処理を施すシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域をI、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域をV、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域をP、リング状酸化誘起積層欠陥の発生する領域をRとするとき、前記パーフェクト領域P及びリング状酸化誘起積層欠陥の発生する領域Rを含むパーフェクト領域から切り出されたシリコンウェーハであり、該シリコンウェーハに、水素、アルゴン、またはそれらの混合ガス雰囲気中にて急速加熱・急速冷却の熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/26
FI (2件)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/26 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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