特許
J-GLOBAL ID：200903099357052841

半導体装置およびその製造方法

発明者：
高 賢哲

高 賢哲 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342768
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160658
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に成長したアルミニウムを含む層を選択的に酸化させる場合、酸化後、膜の体積が収縮することによって界面に生じる亀裂の問題を解決する。【解決手段】 半導体基板101上にアルミニウム含有半導体層102を、アルミニウム組成が徐々に上昇しその後徐々に低下するように形成する(a)。あるいは、そのアルミニウムを含む層の結晶成長時、III族原料のモル数に対するV族原料のモル数を成長方向に沿って徐々に変化する様に積層する。パターニングし(b)、側面より酸化する(c)。【効果】 酸化後、酸化部分から非酸化部分まで酸化の程度が連続的に変わる。これにより、酸化による応力が広い範囲に分散され亀裂の発生が抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、アルミニウムを、下層部でその組成比が低く上層に向かってその組成比が徐々に若しくは段階的に上昇するように含むIII-V族半導体層が形成され、前記III -V族半導体層の少なくとも一部が酸化されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205
Fターム (20件)：
5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DB02 ,  5F045HA12 ,  5F073AA21 ,  5F073CB02 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA15
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM