特許
J-GLOBAL ID：200903033151135910
膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220076
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059736
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低誘電率、かつ高弾性率を有するシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】(A)一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物および一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をRx Si(OR1 )4-x ・・・・・(1)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)R3 y (R4 O)3-y Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-z R6 z・・・・(3)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 〜R6 は、それぞれ1価の有機基、示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基を示す。)(B)塩基性化合物、(C)水、および(D)第二級または第三級アルコールの存在下で加水分解し、縮合してなるポリシロキサンを含有することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を
Rx Si(OR1 )4-x ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、xは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2 )4 ・・・・・(2)
(式中、R2 は1価の有機基を示す。)
R3 y (R4 O)3-y Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-z R6 z・・・・(3)
〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、yおよびzは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕
(B)塩基性化合物、(C)水、および(D)第二級または第三級アルコールの存在下で加水分解し、縮合してなるポリシロキサンを含有することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
IPC (7件)：
C09D183/04
, C08G77/06
, C08G77/18
, C09D1/00
, C09D183/02
, C09D183/14
, H01L21/316
C09D183/04
, C08G77/06
, C08G77/18
, C09D1/00
, C09D183/02
, C09D183/14
, H01L21/316 G
4J035AA01
, 4J035AA02
, 4J035AA03
, 4J035AA05
, 4J035AB03
, 4J035BA01
, 4J035BA02
, 4J035BA03
, 4J035BA04
, 4J035BA05
, 4J035CA021
, 4J035CA061
, 4J035CA162
, 4J035EB03
, 4J035FB06
, 4J035LA03
, 4J035LA04
, 4J035LB01
, 4J038AA011
, 4J038DL021
, 4J038DL071
, 4J038DL101
, 4J038GA01
, 4J038HA446
, 4J038MA08
, 4J038MA09
, 4J038MA10
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BJ02
