特許
J-GLOBAL ID：200903081937353400

ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者：
西川 通則

西川 通則 について

, 
山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167438
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：
【要約】【課題】 、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成に有用なケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関を得る。【解決手段】 (A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
請求項（抜粋）：
(A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
IPC (12件)：
C08G 77/48 ,  C08G 77/60 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (12件)：
C08G 77/48 ,  C08G 77/60 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (60件)：
4F071AA65 ,  4F071AA67 ,  4F071AF40 ,  4F071AH13 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4J002CP03X ,  4J002CP19W ,  4J002CP19X ,  4J002CP21W ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J035BA06 ,  4J035CA022 ,  4J035CA152 ,  4J035HA01 ,  4J035HA02 ,  4J035HB03 ,  4J035JA02 ,  4J035JB03 ,  4J035LB01 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL041 ,  4J038DL071 ,  4J038DL161 ,  4J038GA01 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038HA066 ,  4J038HA096 ,  4J038HA176 ,  4J038HA336 ,  4J038HA376 ,  4J038JA35 ,  4J038JA37 ,  4J038JA40 ,  4J038JB09 ,  4J038JB27 ,  4J038JB29 ,  4J038JB30 ,  4J038JC37 ,  4J038KA04 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F058AA02 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許：
審査官引用 (22件)
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