膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294811
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の層間絶縁膜材料として、長期保存安定性、PCT後の比較誘電率特性、機械的強度に優れたシリカ系膜を得る。【解決手段】下記式(1)〜(3)で示されるシランRaSi(OR1)4-a・・・・・(1)Si(OR2)4・・・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)dSi(OR5)3-cR6c・・・・・(3)(式中Rは-H、-Fまたは1価の有機基、R1〜R6は1価の有機基、R7は-O-、フェニレン基又は-(CH2)n-aは1〜2、b、cは0〜2、dは0〜1、nは1〜6の数)化合物の少なくとも1種を塩基性化合物、水、沸点100°C以下のアルコール、及び式(4)で示される溶剤の存在下で加水分解、縮合することにり膜形成用組成物を得ること、R8O(CHCH3CH2O)eR9・・・・・(4)及びこれを基板に塗布、加熱しシリカ膜を形成する。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をRa Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)塩基性化合物、(C)水、(D)沸点100°C以下のアルコールおよび(E)下記一般式(4)で表される溶剤 R8O(CHCH3CH2O)eR9 ・・・・・(4)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、eは1〜2の整数を表す。)の存在下で加水分解し、縮合することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C08G 77/02 , C09D 5/00 , C09D183/02 , C09D 5/25

FI (5件)：

C09D183/04 , C08G 77/02 , C09D 5/00 Z , C09D183/02 , C09D 5/25

Fターム (52件)：

4J035AA02 , 4J035AA03 , 4J035AA05 , 4J035AB03 , 4J035BA02 , 4J035BA03 , 4J035BA04 , 4J035BA05 , 4J035BA06 , 4J035BA12 , 4J035BA13 , 4J035BA14 , 4J035BA15 , 4J035BA16 , 4J035CA112 , 4J035CA142 , 4J035CA182 , 4J035EB03 , 4J035EB04 , 4J035HA01 , 4J035HA02 , 4J035HB03 , 4J035LB01 , 4J038CL001 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL051 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038DL111 , 4J038DL161 , 4J038HA176 , 4J038JA18 , 4J038JB01 , 4J038JB25 , 4J038KA03 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038KA08 , 4J038KA09 , 4J038KA15 , 4J038NA04 , 4J038NA11 , 4J038NA14 , 4J038NA21 , 4J038NA27 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC02 , 4J038PC03 , 4J038PC08

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-008709
特開平4-053832
シリカ系被膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-144807 出願人：東京応化工業株式会社

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