タングステン及び窒化タングステンのインシチュ化学蒸着による、改善されたゲート電極接合構造

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560605
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520876
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】窒化タングステンバリヤ層(8)とタングステンプラグ(9)の蒸着により形成され、窒化タングステンとタングステンの蒸着が同じ化学蒸着(CVD)室内で行われるゲート電極接合構造が開示されている。窒化タングステン蒸着は、水素、窒素、及び6フッ化タングステンを含有しているプラズマを用いるプラズマ化学蒸着(PECVD)により行なわれる。蒸着前に、ウェーハは、接着性を改善するため水素プラズマで前処理される。タングステン蒸着処理は、6フッ化タングステンと水素を使うCVD法により実施される。タングステン核生成段階が含まれており、この段階では、6フッ化タングステン、ジボラン、及び水素を含んでいる処理ガスが基板処理室の蒸着ゾーンに流される。核生成段階の後、ジボランは止められるが、圧力レベル及び他の処理パラメータはタングステンのバルク蒸着に適する条件に維持される。

請求項（抜粋）：

処理室において基板上にゲート電極接合構造を形成する方法において、 (A)ゲート電極上に窒化タングステン拡散バリヤを蒸着させる段階と、 (B)前記窒化タングステン拡散バリヤの表面にタングステンの層を蒸着させる段階とから成り、前記窒化タングステン拡散バリヤ及び前記タングステンの層は同じ処理室内で蒸着されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 , C23C 16/14 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R , C23C 16/14 , H01L 21/28 301 A

Fターム (22件)：

4K030AA04 , 4K030AA07 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD22 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF16 , 4M104GG09

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-237733 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337496 出願人：三星電子株式会社
導電性拡散障壁層の付着法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301177 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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