特許
J-GLOBAL ID：200903033280277577
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236036
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079685
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】生産性が高い半導体装置の製造方法を提供する。位置ずれを少なくして複数の半導体チップを接合できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】先ず、ウエハWが活性面Waを上にして、載置台11の上に載置される(図2(a))。ウエハWの活性面Waには、先端に錫層が設けられた金属突起4が形成されており、金属突起4の先端にはフラックス22が塗布されている。ウエハWは、親チップに相当する複数の単位領域Uを含んでいる。続いて、活性面2aに金属突起5が形成された子チップ2が、吸着コレット13により、活性面2aを下方に向けられて、ウエハWの上に載置される。これにより、金属突起4と金属突起5とがフラックス22を介して仮固定される(図2(b))。同様にして、すべての単位領域Uに子チップ2,3が仮固定された後、ウエハWおよび子チップ2,3が、所定時間、錫の融点以上の温度に加熱される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板の一方表面に形成された第1の金属突起と、第2の半導体基板の一方表面に形成された第2の金属突起とを接合して構成される半導体装置の製造方法であって、
上記第1および第2の金属突起のうちの少なくとも一方の先端に低融点金属からなる層を形成する工程と、
上記第1および第2の金属突起のうちの少なくとも一方の先端にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
このフラックス塗布工程の後、上記第1の半導体基板の上記一方表面と上記第2の半導体基板の上記一方表面とを対向させ、上記第1の金属突起と上記第2の金属突起とを、上記フラックスで仮固定する仮固定工程と、
この仮固定工程の後、上記第1および第2の半導体基板を、上記低融点金属からなる層の固相線温度以上の温度に加熱する加熱工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L25/065
, H01L21/60
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L25/08 B
, H01L21/60 311Q
5F044KK18
, 5F044LL01
, 5F044LL05
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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