特許
J-GLOBAL ID：200903033314237510
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006555
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255955
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値電流密度で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型ZnSeエピタキシャル層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe光導波層14、ZnCdSe活性層15、p型ZnSSe光導波層16、p型ZnMgSSeクラッド層17、p型ZnTeコンタクト層18、多結晶ZnO埋込層19を形成する。さらにp型AuPd電極110とn型In電極111とを形成する。ここでは、多結晶ZnO埋込層19を電流狭窄層と光閉込め層に用いていることにより、熱放散が良いことから低しきい値電流密度と長寿命が実現できる。また効果的な光閉込めにより単一横モードレーザ発振が得られる。
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体エピタキシャル層と、該II-VI族半導体エピタキシャル層の上に設けられたZnO層と、を備える、半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
